| Προδιαγραφές Σταδίου | |
| Βασικός Εξοπλισμός | Στάδιο με Οπτικό Παρεμβολόμετρο Λέιζερ |
| Διαδρομή Σταδίου | ≤105 mm |
| Προδιαγραφές Ηλεκτρονικού Πυροβόλου και Απεικόνισης | |
| Πυροβόλο Εκπομπής Πεδίου Schottky | Τάση Επιτάχυνσης 20V~ 30kV, Ανιχνευτής Δευτερογενών Ηλεκτρονίων Πλευρικός και Ενσωματωμένος Ανιχνευτής Ηλεκτρονίων |
| Ανάλυση Εικόνας | ≤1nm@15kV; ≤1.5nm@1kV |
| Πυκνότητα Ρεύματος Δέσμης | >5300 A/cm2 |
| Ελάχιστο Μέγεθος Σημείου Δέσμης | ≤2 nm |
| Προδιαγραφές Λιθογραφίας | |
| Κλείστρο Δέσμης Ηλεκτρονίων | Χρόνος Ανόδου < 100 ns |
| Πεδίο Εγγραφής | ≤500x500 um |
| Ελάχιστο Πλάτος Γραμμής Μονής Έκθεσης | 10±2nm |
| Ταχύτητα Σάρωσης | 25 MHz/ 50 MHz |
| Παράμετροι Γεννήτριας Γραφικών | |
| Πυρήνας Ελέγχου | FPGA Υψηλής Απόδοσης |
| Μέγιστη Ταχύτητα Σάρωσης | 50 MHz |
| Ανάλυση D/A | 20-bit |
| Υποστηριζόμενα Μεγέθη Πεδίου Εγγραφής | 10 um~500 um |
| Υποστήριξη Κλείστρου Δέσμης | 5VTTL |
| Ελάχιστη Αύξηση Χρόνου Παραμονής | 10ns |
| Υποστηριζόμενες Μορφές Αρχείων | GDSIl, DXF, BMP, κ.λπ. |
| Μέτρηση Ρεύματος Δέσμης με Κύπελλο Faraday | Περιλαμβάνεται |
| Διόρθωση Φαινομένου Εγγύτητας | Προαιρετικό |
| Στάδιο με Οπτικό Παρεμβολόμετρο Λέιζερ | Προαιρετικό |
| Λειτουργίες Σάρωσης | Διαδοχική (τύπου Ζ), Σερπεντίνης (τύπου S), Σπειροειδής και άλλες λειτουργίες διανυσματικής σάρωσης |
| Λειτουργίες Έκθεσης | Υποστηρίζει βαθμονόμηση πεδίου, συρραφή πεδίου, επικάλυψη και αυτόματη έκθεση πολλαπλών επιπέδων |
| Υποστήριξη Εξωτερικού Καναλιού | υποστηρίζει σάρωση δέσμης ηλεκτρονίων, κίνηση σταδίου, έλεγχο κλείστρου δέσμης και ανίχνευση δευτερογενών ηλεκτρονίων |
|
|
Στάδιο με Οπτικό Παρεμβολόμετρο Λέιζερ Στάδιο με Οπτικό Παρεμβολόμετρο Λέιζερ: Ένα προηγμένο στάδιο με οπτικό παρεμβολόμετρο λέιζερ που πληροί τις απαιτήσεις για συρραφή και επικάλυψη μεγάλης διαδρομής και υψηλής ακρίβειας |
|
Πυροβόλο Εκπομπής Πεδίου Ένα πυροβόλο εκπομπής πεδίου υψηλής ανάλυσης είναι μια σημαντική εγγύηση για την ποιότητα της λιθογραφίας |
|
|
|
Γεννήτρια Γραφικών Επιτυγχάνει εξαιρετικά-υψηλή ανάλυσησχεδίαση μοτίβων, διασφαλίζοντας ταυτόχρονα σάρωση εξαιρετικά υψηλής ταχύτητας |
| A63.7010 VS Raith 150 Two | ||
| Μοντέλο Συσκευής | OPTO-EDU A63.7010 (Κίνα) | Raith 150 Two (Γερμανία) |
| Τάση Επιτάχυνσης (kV) | 30 | 30 |
| Ελάχιστη Διάμετρος Σημείου Δέσμης (nm) | 2 | 1.6 |
| Μέγεθος Σταδίου (ίντσες) | 4 | 4 |
| Ελάχιστο Πλάτος Γραμμής (nm) | 10 | 8 |
| Ακρίβεια Συρραφής (nm) | 50(35nm) | 35 |
| Ακρίβεια Επικάλυψης (nm) | 50(35nm) | 35 |