logo
Opto-Edu (Beijing) Co., Ltd. 0086-13911110627 sale@optoedu.com
OPTO-EDU A63.7010 EBL Electron Beam Lithography Machine

Μηχανή λιθογραφίας δέσμης ηλεκτρονίων OPTO-EDU A63.7010 EBL

  • Επισημαίνω

    Μηχανή λιθογραφίας ηλεκτρονικής ακτίνας EBL

    ,

    μικροσκόπιο σάρωσης με ηλεκτρονική ακτίνα λιθογραφίας

    ,

    Μηχανή λιθογραφίας OPTO-EDU A63.7010

  • Τυποποιημένος εξοπλισμός
    Στάδιο συμβολόμετρου λέιζερ
  • Ταξίδι σε σκηνές
    ≤105 χλστ
  • Ανάλυση εικόνας
    ≤1nm@15kV; ≤1,5nm@1kV
  • Πυκνότητα ρεύματος δέσμης
    >5300 A/cm2
  • Ελάχιστο μέγεθος κηλίδας δέσμης
    ≤2 nm
  • Κλείστρο δέσμης ηλεκτρονίων
    Χρόνος ανόδου < 100 ns
  • Τόπος καταγωγής
    Κίνα
  • Μάρκα
    CNOEC, OPTO-EDU
  • Πιστοποίηση
    CE,
  • Αριθμό μοντέλου
    A63.7010
  • Έγγραφο
  • Ποσότητα παραγγελίας min
    1 τεμ
  • Τιμή
    FOB $1~1000, Depend on Order Quantity
  • Συσκευασία λεπτομέρειες
    Συσκευασία χαρτοκιβωτίων, για τη μεταφορά εξαγωγής
  • Χρόνος παράδοσης
    180 Ημέρες
  • Όροι πληρωμής
    T/T, West Union, PayPal
  • Δυνατότητα προσφοράς
    μήνας 5000 PC

Μηχανή λιθογραφίας δέσμης ηλεκτρονίων OPTO-EDU A63.7010 EBL

Μηχανή λιθογραφίας δέσμης ηλεκτρονίων OPTO-EDU A63.7010 EBL 0
 
Μηχανή λιθογραφίας δέσμης ηλεκτρονίων OPTO-EDU A63.7010 EBL 1
Προδιαγραφές Σταδίου
Βασικός Εξοπλισμός Στάδιο με Οπτικό Παρεμβολόμετρο Λέιζερ
Διαδρομή Σταδίου 105 mm
Προδιαγραφές Ηλεκτρονικού Πυροβόλου και Απεικόνισης
Πυροβόλο Εκπομπής Πεδίου Schottky Τάση Επιτάχυνσης 20V~ 30kV, Ανιχνευτής Δευτερογενών Ηλεκτρονίων Πλευρικός και
Ενσωματωμένος Ανιχνευτής Ηλεκτρονίων
Ανάλυση Εικόνας  1nm@15kV; 1.5nm@1kV
Πυκνότητα Ρεύματος Δέσμης >5300 A/cm2
Ελάχιστο Μέγεθος Σημείου Δέσμης  2 nm
Προδιαγραφές Λιθογραφίας
Κλείστρο Δέσμης Ηλεκτρονίων Χρόνος Ανόδου < 100 ns
Πεδίο Εγγραφής 500x500 um
Ελάχιστο Πλάτος Γραμμής Μονής Έκθεσης  10±2nm
Ταχύτητα Σάρωσης 25 MHz/ 50 MHz
Παράμετροι Γεννήτριας Γραφικών
Πυρήνας Ελέγχου FPGA Υψηλής Απόδοσης
Μέγιστη Ταχύτητα Σάρωσης 50 MHz
Ανάλυση D/A 20-bit
Υποστηριζόμενα Μεγέθη Πεδίου Εγγραφής 10 um~500 um
Υποστήριξη Κλείστρου Δέσμης 5VTTL
Ελάχιστη Αύξηση Χρόνου Παραμονής 10ns
Υποστηριζόμενες Μορφές Αρχείων  GDSIl, DXF, BMP, κ.λπ.
Μέτρηση Ρεύματος Δέσμης με Κύπελλο Faraday  Περιλαμβάνεται
Διόρθωση Φαινομένου Εγγύτητας Προαιρετικό
Στάδιο με Οπτικό Παρεμβολόμετρο Λέιζερ  Προαιρετικό
Λειτουργίες Σάρωσης Διαδοχική (τύπου Ζ), Σερπεντίνης (τύπου S), Σπειροειδής και άλλες λειτουργίες διανυσματικής σάρωσης
Λειτουργίες Έκθεσης Υποστηρίζει βαθμονόμηση πεδίου, συρραφή πεδίου, επικάλυψη και αυτόματη έκθεση πολλαπλών επιπέδων
Υποστήριξη Εξωτερικού Καναλιού υποστηρίζει σάρωση δέσμης ηλεκτρονίων, κίνηση σταδίου, έλεγχο κλείστρου δέσμης και ανίχνευση δευτερογενών ηλεκτρονίων
 
Μηχανή λιθογραφίας δέσμης ηλεκτρονίων OPTO-EDU A63.7010 EBL 2
Μηχανή λιθογραφίας δέσμης ηλεκτρονίων OPTO-EDU A63.7010 EBL 3

Στάδιο με Οπτικό Παρεμβολόμετρο Λέιζερ

Στάδιο με Οπτικό Παρεμβολόμετρο Λέιζερ: Ένα προηγμένο στάδιο με οπτικό παρεμβολόμετρο λέιζερ που πληροί τις απαιτήσεις για συρραφή και επικάλυψη μεγάλης διαδρομής και υψηλής ακρίβειας

Πυροβόλο Εκπομπής Πεδίου

Ένα πυροβόλο εκπομπής πεδίου υψηλής ανάλυσης είναι μια σημαντική εγγύηση για την ποιότητα της λιθογραφίας

Μηχανή λιθογραφίας δέσμης ηλεκτρονίων OPTO-EDU A63.7010 EBL 4
Μηχανή λιθογραφίας δέσμης ηλεκτρονίων OPTO-EDU A63.7010 EBL 5

Γεννήτρια Γραφικών

Επιτυγχάνει εξαιρετικά-υψηλή ανάλυσησχεδίαση μοτίβων, διασφαλίζοντας ταυτόχρονα σάρωση εξαιρετικά υψηλής ταχύτητας


A63.7010 VS Raith 150 Two
Μοντέλο Συσκευής OPTO-EDU A63.7010 (Κίνα) Raith 150 Two (Γερμανία)
Τάση Επιτάχυνσης (kV) 30 30
Ελάχιστη Διάμετρος Σημείου Δέσμης (nm) 2 1.6
Μέγεθος Σταδίου (ίντσες) 4 4
Ελάχιστο Πλάτος Γραμμής (nm) 10 8
Ακρίβεια Συρραφής (nm) 50(35nm) 35
Ακρίβεια Επικάλυψης (nm) 50(35nm) 35
Μηχανή λιθογραφίας δέσμης ηλεκτρονίων OPTO-EDU A63.7010 EBL 6
 
Μηχανή λιθογραφίας δέσμης ηλεκτρονίων OPTO-EDU A63.7010 EBL 7
 
Μηχανή λιθογραφίας δέσμης ηλεκτρονίων OPTO-EDU A63.7010 EBL 8
 
Μηχανή λιθογραφίας δέσμης ηλεκτρονίων OPTO-EDU A63.7010 EBL 9